Graças ao novo processo de produção FOWLP, as matrizes GDDR6W têm o mesmo tamanho das GDDR6X, mas vêm com capacidade de 32 Gb de 16 Gb e a contagem de pinos de E/S também é dobrada. A largura de banda no nível do sistema pode atingir 1,4 TB/s com 512 pinos de E/S, enquanto o HBM2E oferece 1,6 TB/s por meio de 4.096 pinos, tornando o novo padrão de memória da Samsung consideravelmente mais eficiente.
A Samsung anuncia as especificações GDDR6W menos de 2 meses depois de apresentar as especificações GDDR7. Parece que os produtos que integram os chips GDDR7 VRAM podem demorar um pouco mais para chegar ao mercado, pois a Samsung afirma que a padronização JEDEC para produtos GDDR6W VRAM já foi concluída no segundo trimestre deste ano, e a gigante sul-coreana planeja trazer isso padrão para notebooks e o setor de computação de alto desempenho o mais rápido possível. Além de oferecer maior largura de banda, mais o dobro da capacidade e pinos de E/S sobre os chips GDDR6X de 24 Gbps, o padrão GDDR6W é desenvolvido com o revolucionário design FOWLP (fan-out wafer-level packaging) que permite uma pegada inalterada para que os integradores possam usar o mesmo processo de produção do GDDR6X e reduz o tempo e os custos de implementação.
A capacidade agora é dobrada de 16 Gb para 32 Gb por die, enquanto a quantidade de pinos de E/S dobrou de 32 para 64. Isso não se traduz apenas em uma redução de área de 50% em relação ao GDDR6X, mas o FOWLP também reduz a altura da matriz de 1,1 mm para 0,7 mm, eliminando a camada de base do PCB e substituindo-a com um wafer de silício que integra os próprios chips VRAM.
No que diz respeito à largura de banda bruta, a Samsung diz que o GDDR6W VRAM pode quase correspondem ao padrão HBM de maneira mais eficiente. Enquanto os chips HBM2E têm uma largura de banda de nível de sistema de 1,6 TB/s com 4.096 pinos de E/S e taxa de transferência de 3,2 Gbps por pino, o novo padrão GDDR6W oferece largura de banda de 1,4 TB/s com 512 pinos de E/S e uma taxa de 22 Gbps por pino. Reduzir o número de pistas de E/S em 8 vezes essencialmente elimina a necessidade de uma camada intermediária e torna-a mais econômica para integradores de produtos. Para referência, o GDDR6X oferece até 1,1 TB/s de largura de banda, então o GDDR6W seria aproximadamente 30% mais rápido. Por outro lado, espera-se que o GDDR7 ofereça largura de banda de 1,7 TB/s em um barramento de 384 bits.
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Bogdan Solca – Escritor Técnico Sênior – 1887 artigos publicados no Notebookcheck desde 2017
Entrei pela primeira vez no maravilhoso mundo de TI&C quando tinha cerca de sete anos anos. Fiquei instantaneamente fascinado por gráficos computadorizados, fossem eles de jogos ou aplicativos 3D como o 3D Max. Também sou um ávido leitor de ficção científica, um aficionado por astrofísica e um geek de criptografia. Comecei a escrever artigos relacionados a PC para a Softpedia e alguns blogs em 2006. Entrei para a equipe Notebookcheck no verão de 2017 e atualmente sou um redator sênior de tecnologia cobrindo principalmente notícias sobre processadores, GPU e laptops.
Bogdan Solca, 29/11/2022 (Atualização: 29/11/2022)